Закрыть
Главное:   Xiaomi   Redmi   Poco   MIUI   MIUI 13

VTFET — прорывная технология производства чипов от Samsung и IBM

Новая технология VTFET от компаний Samsung и IBM позволяет или вдвое повысить производительность, или на 85% понизить энергопотребление чипа

VTFET - прорывная технология производства чипов от Samsung и IBM

Изображение: IBM

На недавнем мероприятии IEDM в Сан-Франциско представители компаний Samsung и IBM представили новую новую технологию с вертикальным размещением транзисторов в чипах, которая получила название VTFET — Vertical Transport Field Effect Transistors.

Новая разработка позволяет или вдвое повысить производительность, или на 85% понизить энергопотребление чипа в сравнении с микросхемами сопоставимого размера, выполненными по традиционной технологии FinFET. Благодаря новой разработке Samsung и IBM обходятся ограничения «Закона Мура», а более эффективное перенаправление потока энергии обуславливает меньшие электрические потери.

VTFET - прорывная технология производства чипов от Samsung и IBM

Как утверждают Samsung и IBM, коммерческая реализация технологии VTFET позволит выпускать смартфоны и другие мобильные устройства, которые смогут в течение недели работать без подзарядки при этом выполняя энергоёмкие задачи, в том числе майнинг.

Нужно отметить, что не только Samsung и IBM активно работают над такими перспективными технологиями — к примеру Intel занимается созданием новой компоновки транзисторов, которая позволит к 2024 году выйти за пределы наноуровня и выпускать чипы в соответствии с техпроцессом ангстрем-класса Intel 20A с применением транзисторов нового типа RibbonFET.

4 комментария

  1. Ничего не понял, но если процессоры и графика при сохранении мощности перестанут быть адскими печками, то эта технология заслуживает всяческих похвал 🙂

  2. Так Закон Мура уже давно не работает, лет как 10, а то и больше мощность не удваивается мощность. Да она растёт, но не удваивается.

  3. Инженеры сравнили свою разработку с процессорами FinFET, выбрав в качестве примера 10-нанометровые решения Intel. По производительности CPU VTFET почти вдвое превосходит традиционные аналоги. Кроме того, по данным Engadget, в перспективе инновация позволит преодолеть 1-нм барьер для будущих микросхем.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.

49 − 40 =

4 комментария
scroll to top